大日本印刷（株）、キヤノン（株）、キオクシア（株）の3社が共同で開発する「NILによる超微細半導体の省エネルギー加工技術」が、国立研究開発法人 国立環境研究所/日刊工業新聞社主催、環境省後援の「第49回 環境賞」で優良賞を受賞した。
3社は、半導体製造用の基板に微細パターンを転写する「NIL技術」において、最先端半導体で求められるナノメートルレベル（半導体プロセスの技術世代5ナノノードに相当）のパターン転写を実現している。今回の受賞に関しては、パターン転写工程での消費電力を従来手法に比べて約10分の1に抑え、IoT社会の急速な拡大を支える製造技術として注目されていることが高く評価された。